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2021年3月23-25日，“AWE中國家電及消費(fèi)電子博覽會(huì)”作為全球家電及消費(fèi)電子前沿的展示平臺，云集了家電及消費(fèi)類電子知名企業(yè)，站在全球化的新起點(diǎn)，以“AWE新十年，智競未來”為主題，迎來了更多創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)，進(jìn)一步激發(fā)了中國智造的創(chuàng)新活力。

新葡京平臺微電子在2021AWE上，重磅展示了多款面向家電、消費(fèi)電子等市場的領(lǐng)先產(chǎn)品、系統(tǒng)和應(yīng)用解決方案。新葡京平臺微電子芯片對于電源管理、節(jié)能減排、智能語音識別方面等起著至關(guān)重要的作用，正在全面賦能消費(fèi)類家電領(lǐng)域！

IPM產(chǎn)品

Silan 的DIP24和DIP25系列IPM產(chǎn)品目前廣泛應(yīng)用于白電及小家電領(lǐng)域，得益于Silan先進(jìn)制程工藝的轉(zhuǎn)換，其二代產(chǎn)品在芯片參數(shù)精度上得到了明顯提升，對DIP24二代IPM的IGBT也進(jìn)行了優(yōu)化，降低器件損耗，提升功率密度，整體性能表現(xiàn)更上一層樓。與此同時(shí)，新制程采用更先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，可以提升IPM整體良率，通過優(yōu)化制程效率，提升產(chǎn)能來保證客戶供應(yīng)鏈安全，以滿足更多客戶的需求。

目前，二代產(chǎn)品型號如下，更多型號及更豐富的封裝也正在陸續(xù)推出中。

分立器件產(chǎn)品

新葡京平臺微的功率器件產(chǎn)品，依托于過去20年新葡京平臺微自有的5英寸，6英寸和8英寸芯片生產(chǎn)線的發(fā)展，已成為目前國內(nèi)最具規(guī)模的分立器件產(chǎn)品供應(yīng)商之一。新葡京平臺微功率器件產(chǎn)品，主要包含MOSFET產(chǎn)品（平面工藝的 高壓/低壓MOSFET、超級結(jié)工藝高壓MOSFET和Trench 工藝的低壓MOSFET） ， IGBT產(chǎn)品（Trench FS 結(jié)構(gòu)和 RC 結(jié)構(gòu)）、以及SBD和FRD等各種二、三極管產(chǎn)品；新葡京平臺微的MOSFET產(chǎn)品，已被眾多國際知名品牌企業(yè)采用。

◆ 30--200V SGT MOSFET

30--200V SGT 系列MOSFET基于新葡京平臺先進(jìn)的低壓屏蔽柵溝槽技術(shù)，旨在提高效率、功率密度和成本效益，具有業(yè)界領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)。該系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于汽車主驅(qū)、通訊電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電保護(hù)、同步整流等領(lǐng)域。新葡京平臺微可以提供多種封裝選擇，包括DPAK、D2PAK、PDFN5*6、PDFN3*3等，同時(shí)為汽車電子提供了LFPAK、TO-263-7、TOLL等封裝資源，滿足更多高端應(yīng)用需求。

◆ 1350V TrenchStop RC-IGBT

1350V TRENCHSTOP RC-IGBT 基于新葡京平臺逆導(dǎo)型溝槽技術(shù)， 用極低的成本可以達(dá)到更高功率密度，特別適用于感應(yīng)加熱領(lǐng)域，例如電磁爐、微波爐、IH電飯煲等新型變頻廚電。新葡京平臺的IGBT產(chǎn)品已經(jīng)為國內(nèi)許多電磁爐廠商提供了方案并獲得了客戶的認(rèn)可，其中SGT20T135QR1P7作為當(dāng)前RC-IGBT主力，在應(yīng)用中表現(xiàn)了優(yōu)良的性能。

◆ 650V FieldStopTrench 5 IGBT

650V FieldStop Trench 5 IGBT基于新葡京平臺微溝槽技術(shù)，在保證較低通態(tài)損耗的同時(shí)，可大幅降低開關(guān)損耗，并可實(shí)現(xiàn)允許過載的最高工作溫度達(dá)到175℃，提高功率密度。該系列芯片可廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、光伏逆變、新能源汽車等領(lǐng)域。

MCU產(chǎn)品

 新葡京平臺微電子MCU 產(chǎn)品線起步于紅外？乩郙CU，經(jīng)過近20年發(fā)展，形成了3V/ 5V, OTP/MTP/Flash 多工藝平臺全覆蓋的產(chǎn)品系列。技術(shù)研發(fā)上持續(xù)投入， 完全自主研發(fā)了全溫度范圍1% 精度的內(nèi)置振蕩器、3Msps 高速ADC、DAC、超低失調(diào)OPA 等特色I(xiàn)P，并在高可靠性、超低功耗方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。

與國內(nèi)廠家普遍走兼容國外大廠的開發(fā)思路不同，新葡京平臺微電子MCU產(chǎn)品開發(fā)圍繞對細(xì)分市場系統(tǒng)功能的理解，優(yōu)化開發(fā)集成度高、頗具競爭力的產(chǎn)品。

其中，SC32F58128系列高端控制芯片，已被廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)，通用變頻器，工業(yè)縫紉機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域，芯片性能對標(biāo)國際大廠DSP芯片，填補(bǔ)國內(nèi)芯片及自主系統(tǒng)方案在這方面的空白。

SC32F58128是首款應(yīng)用與變頻空調(diào)，實(shí)現(xiàn)核心雙變頻控制及高頻PFC電源控制功能的國產(chǎn)芯片。2020年開始逐步推向市場應(yīng)用獲得了客戶良好的反饋及口碑；2021年更有望突破百萬套市場應(yīng)用規(guī)模。

MEMS產(chǎn)品

新葡京平臺微自成立以來，實(shí)現(xiàn)了芯片設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)的一體化布局，為逐步發(fā)展成為MEMS IDM 供應(yīng)商奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。自2010年開始，新葡京平臺微電子投入大量資金，通過對加速度傳感器、地磁傳感器、壓力傳感器等一系列傳感器產(chǎn)品的開發(fā)，在6吋、8吋芯片生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)了批量制造能力，并建立自己的MEMS封測生產(chǎn)線，初步走通了系列傳感器的IDM發(fā)展之路，已申請相關(guān)發(fā)明專利百余項(xiàng)。

2012年11月，新葡京平臺微電子研發(fā)成功了第一顆MEMS慣性加速度計(jì)電路SC7A30；2013年08月，新葡京平臺微電子推出第一顆三軸磁傳感器電路SC7M30；2016年，新葡京平臺微推出國內(nèi)首款單芯片六軸慣性傳感器SC7I20；2019年2月，新葡京平臺微推出了專門為快速增長的消費(fèi)終端市場開發(fā)的高性能MEMS硅麥克風(fēng)系列產(chǎn)品。

其中，SC7A20，是一款高精度三軸加速度傳感器芯片，具有內(nèi)置功能更豐富，功耗更低，體積更。飭扛返忍氐。SC7A20已經(jīng)廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)上實(shí)現(xiàn)橫豎屏轉(zhuǎn)換，還可以應(yīng)用于智能穿戴設(shè)備、智能車載設(shè)備和IOT等領(lǐng)域。SC7A20產(chǎn)品內(nèi)置的MEMS傳感器芯片出色的抗機(jī)械沖擊性能和抗回流焊沖擊性能贏得品牌智能手機(jī)OPPO，VIVO，小米等客戶的認(rèn)可，實(shí)現(xiàn)了與傳統(tǒng)IC同水平的上線不良率。

隨著半導(dǎo)體信息技術(shù)在綠色家電、智能制造、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、光伏和新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛的應(yīng)用，半導(dǎo)體行業(yè)面臨更為廣闊的市場空間。新葡京平臺微電子將依托IDM模式，加快對MOSFET、IGBT、FRD等功率器件，智能功率？，IGBT功率？椋哐辜傻緶，MEMS傳感器件，光電器件，第三代功率半導(dǎo)體器件等新產(chǎn)品的開發(fā)，大力推進(jìn)系統(tǒng)創(chuàng)新和技術(shù)整合，不斷提升產(chǎn)品附加值和產(chǎn)品品牌，在創(chuàng)造良好經(jīng)濟(jì)效益的同時(shí)，積極創(chuàng)造社會(huì)效益。